[ SiC발열체에 Microwave파 조사시의 분단위 온도변화 / Temperature Change per minute in SiC Element when radiating Microwave ]

 

3KW

5KW

time(min)

sensor 1

sensor 2

sensor 3

sensor 1

sensor 2

sensor 3

0

33

 

 

38

 

 

1

64

86

176

156

113

 

2

118

181

263

293

234

 

3

207

316

357

456

394

 

4

302

453

449

625

570

 

5

400

559

546

770

720

 

6

504

648

670

890

842

 

7

615

724

773

990

936

 

8

713

779

869

1067

1006

 

9

803

829

958

1130

1058

 

10

885

877

1123

1181

1100

 

11

954

918

 

1222

1132

 

12

996

938

1142

1253

1162

 

13

1027

953

1180

1280

1192

 

14

1058

973

1212

1298

1211

 

15

1086

990

1245

1308

1223

 

동영상

 

● SiC를 주성분으로 한 발열체로 마이크로웨이브파(Microwave)를 10분만 조사하여도 1000도이상 온도가 상승하며 최대 2000도 이

    상의 온도를 냄.

●  고온을 이용하여 유증기등 유해물질을 99%이상 열분해하여 제거하며 NOx등도 전혀 발생하지 않으며 광석등도 쉽게 녹임.

●  형태 : 원형, 사각형, 허니캠구조등 고객의 요청에 따라 다양하게 제작가능

● 적용가능분야 ☞ 최근의 친환경추세에 적합 º 화장장(사체처리) or 용광로

º 치과용 소결로

º 탄화기, PCB/자동차 머플러에서 귀금속 추출,

º 그물모양 SiC발열체로 굴뚝등에 설치하여 공장의 유해물질 유증기등 제거 or 반도체공장의 분진제거,

º  자동차 머플러에 설치 매연제거 등 다양하게 적용가능하며